㈠ 如何處理半導體(LED)廢水
隨著單個LED光通亮和發光效率的提高，即將進入普通室內照明、台燈、筆記本電腦背光源、大尺寸LED顯示器背光源等市場廣闊。 LED生產過程中絕大部分廢水產生在原材料和晶元製造過程中，分為拉晶、切磨拋和晶元製造，主要含一般酸鹼廢水、含氟廢水、有機廢水、氨氮廢水等幾種水質，在黃綠光晶片製造過程中還會有含砷廢水排出。 2、LED晶元加工廢水特點：主要污染物為LED晶元生產過程中排放的大量有機廢水和酸鹼廢水，另有少量含氟廢水。有機廢水主要污染物為醇、乙醇、雙氧水;酸鹼廢水中主要污染物為無機酸、鹼等。 3、LED切磨拋廢水特點：主要污染物為大量清洗廢水，主要成分為硅膠、弱酸、硫酸、鹽酸、研磨砂等。 4、酸鹼廢水排放：主要包括工藝酸鹼廢水、廢氣洗滌塔廢水、純水站酸鹼再生廢水，採用化學中和法處理。 含砷廢水：主要來自背面減薄及劃片/分割工序，採用化學沉澱法處理。 一般廢水：排放方式均為連續排放，主要指純水站RO濃縮廢水主要污染物為無機鹽類，採用生化法去除。 含氟廢水：主要清洗廢水中含有HF，使用混凝沉澱去除。 高氨氮廢水：使用折點加氯法，將廢水中的氨氮氧化成N2。投加過量氯或次氯酸鈉，使廢水中氨完全氧化為N2的方法，稱為折點氯化法，其反應可表示為： NH4+十1.5HOCl→0.5N2十1.5H2O十2.5H+十1.5Cl-5、案例： 5.1、LED生產加工之藍寶石拉晶廢水 污水水質、水量： 水量：480t/d;20t/h(24小時連續)廢水水質：PH值5.0-10.0無量綱出水要求：達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為：處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應，達到工藝要求後進入有機廢水調節池。人工收集到含氟廢水收集池，加葯劑進行沉澱。上清液達標排放，污泥排入污泥濃縮池處理。 利用有機廢水調節池的池容增加生化處理功能，向池內投加厭氧性水解菌，池內配置穿孔水力攪拌系統以加強傳質，為後繼處理單元提供部分水解處理服務。 廢水經過調節後經泵提升進入進入厭氧水解池。 厭氧水解池採用上向流布水形式，利用循環管網系統加強池底部的混流強度，提高反應器內的傳質效果。利用微生物的水解酸化作用將廢水中難降解的大分子有機物轉化為易降解的小分子有機物，將復雜的有機物轉變成簡單的有機物，提高廢水的可生化性，有利於後續的好氧生化處理。出水自流進入接觸氧化池。接觸氧化池的混合液進入二沉池進行泥水沉澱分離。為保證COD排放達標的處理要求，將二沉池出水導入BAF進行處理。生物曝氣濾池的出水流入清水池，為生物曝氣濾池提供濾料的反沖洗水，其餘的清水達標排放。 5.2、LED生產加工之切磨拋廢水 污水水質、水量： 水量：432t/d;18t/h(24小時連續)廢水水質：1PH值5.0-10.0無量綱出水要求：達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為：處理工藝根據業主廢水的水質情況，在吸取以往同類廢水處理裝置設計的成功經驗和一些同類廢水處理裝置的實際運行經驗，設計污水處理主體工藝路線如下： 格柵池+清洗廢水調節池+反應池+物化沉澱池達標排放 污泥處理主體工藝採用工藝路線為： 污泥濃縮+污泥調理+板框壓濾泥餅外運 5.3、LED生產加工之晶元廢水 污水水質、水量： 有機廢水水量：19.4t/h(24小時連續)水質：PH值6.0-8.0無量綱 酸鹼廢水水量：70t/h(24小時連續)水質：PH值4.0-11.0無量綱 含氟廢水水量：4t/h(24小時連續)水質：PH值2.0-4.0無量綱 氟化物≤200mg/L處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應，達到工藝要求後達標排放。含氟廢水收集調節後與投加的葯劑反應生成不溶性氟化物沉澱，上清液達標排放。
㈡ 光伏和半導體產業中的廢水處理
光伏行業和半導體產業。你是指的整個產業鏈的廢水嗎？所有半導體產業中，使用的都是純水，也就是去離子水，都電子級標准。污水主要還是以酸性和鹼性的為主，沒有重金屬污染。但是會有一些固體廢棄物。國家環保部門有污水廢氣的排放標准。
㈢ 水處理在國內做半導體方面的工業廢水嗎
1、因為全球水資本的日益短少，超純水的生產本錢在不時地上升。面對宏大的應用機會，電子半導體製造商在日常運營中，很是依附於超純水繼續流。
2、融化固體和懸浮固體在含量、酸鹼度和金屬雜質方面的差別，使半導體廢水對常規技巧處理形成了應戰。顛末膜生物反響器和三級處理系統，可以對半導體廢水結束處理，使之達到新的嚴格環境法則或許在工場內獲得再次操縱的機會。
3、膜系統是一種模塊化系統;廢水處理可以疾速調節，與產量添加保持分歧。
㈣ 請問半導體廠房用的純水，按流量計費每立方大約多少錢廢水處理，按流量計費的每立方大約多少錢
半導體廠房用的純水有各種不同等級和運用不同的設備，按基本要求提煉純水流量計費每立方大約由美元1-20不等;
廢水處理也一樣，按流量計費的每立方大約美元0.5-10不等;
㈤ 請問半導體廠房用的純水和廢水處理是怎麼收費的，按流量計費每立方大約多少錢是否和普通自來水收費不同
是按照多少量來計費的，在多少噸以內是多少錢，然後在按噸收取費用 。
㈥ 半導體晶元製造廢水處理方法
晶元製造生產工藝復雜，包括矽片清洗、化學氣相沉積、刻蝕等工序反復交叉，生產中使用了大量的化學試劑如HF、H2SO4、NH3・H2O等。
所以一般晶元製造廢水處理系統有含氨廢水處理系統+含氟廢水處理系統+CMP研磨廢水處理系統。具體方案可以咨詢澤潤環境科技（廣東）有限公司網頁鏈接
㈦ 含硅廢水的處理流程
流程
(1)將粉末狀的生石灰放入所述儲料倉中，同時將待處理的含硅廢水通過所述進水管加入所述機體內;
(2)通過所述控制鍵盤發送工作指令，並通過所述控制主機控制所述電磁閥一打開將生石灰通過所述出料管排入所述機體內的含硅廢水中，生石灰應過量加入;
(3)之後通過所述控制鍵盤控制所述電磁閥一關閉並控制所述伺服電機工作，所述伺服電機通過所述轉軸帶動所述攪拌葉片轉動來對所述機體內的含硅廢水進行攪拌，使其充分反應;
(4)通過所述控制鍵盤設置預定加熱溫度值並控制所述電加熱板工作來對含硅廢水進行加熱，同時所述溫度感測器工作獲取所述機體內含硅廢水的實時溫度信息並回傳給所述控制主機;
(5)所述控制主機將實時溫度信息與預定加熱溫度值進行對比，當實時溫度信息與預定加熱溫度值相同時，所述控制主機控制所述電加熱板穩定工作;
(6)所述伺服電機攪拌40min後停止工作，同時所述電加熱板停止工作;
(7)靜置15min後，通過所述控制鍵盤控制所述離子感測器工作實時獲取所述機體內含硅廢水中的硅離子的濃度信息並回傳至所述控制主機，所述控制主機將硅離子的濃度信息傳遞至所述顯示屏上實時顯示供使用者觀察判斷;
(8)若硅離子的濃度信息不符合排放標准，需重復步驟(1)到(7)，若硅離子的濃度信息符合排放標准，則含硅廢水處理完成，通過所述控制鍵盤控制所述吸泵工作將處理完成的水通過所述排水管路輸送至所述出水管排出到外界;
(9)排水完成後，通過所述控制鍵盤控制所述電磁閥二打開，將所述機體內沉降的污物通過所述排污管排出到外界。
㈧ 我們是一家半導體生產型企業，會產生大量的研磨切割和酸鹼廢水，有工業廢水處理公司嗎
蘇州園區有一家荷蘭的環保公司
㈨ 電鍍日處理廢水1600噸的處理站投資需多少萬元每噸廢水的處理費用是多少
一般情況下每噸電鍍廢水的工程造價在3000元/噸左右，即投資在500萬無左右。
每噸廢水處理要看達到什麼標准，如果做到一級達標排放，每噸處理費用在2.5元左右吧。