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保山市半導體廢水處理設備

發布時間:2021-05-01 02:12:07

A. 假定某工廠在3年前花20 000元安裝了一套消除廢水污染的設備.這套設備的年度使用費估計下一年度為 14500元

AC=9000+1000(A/G,12%,2)=9000+1000*0.4717=9470

B. 上海精細化工廢水處理設備

精細化工行業生產中產生的廢水一直以來是我國環保行業裡面的重點和難點,化工廢水處理重點是化工廢水目前已將嚴重影響到了生態的健康,它的難點是目前我國尚未有成熟的零排放技術,都存在處理不盡留有固廢的問題。很多行業人士認為,把這些化工廢水、固液再進行資源化利用,都將成為精細化工廢水處理的突破口。
目前,我們能夠做到的是,沿用成熟的精細化工處理技術,透析各個環節的水質污染情況,以改進精細化工生產工藝流程,引用更環保更精簡的技術為基礎,搭建化工廢水處理系統,實現廢水的「零排放」或廢水回用,間接性的達到廢水資源化利用的目標。

C. 污水處理設備和廢水處理設備有什麼區別

污水處理設備,是一種能有效處理城區的生活污水,工業廢水等的工業設備,避免污水及污染物直接流入水域,對改善生態環境、提升城市品位和促進經濟發展具有重要意義。地埋式污水處理設備適宜住宅小區、醫院療養院、辦公樓、商場、賓館、飯店、機關、學校、部隊、 水產加工廠、牲蓄加工廠、乳品加工廠等生活污水和與之類似的工業有機廢水,如紡織、啤酒、造紙、製革、食品、化工等行業的有機污水處理,主要目的是將生活污水和與之相類似的工業有機廢水處理後達到回用水質要求,使廢水處理後資源化利用。
廢水處理設備採用國際先進的生物處理工藝,在總結國內外生活廢水處理裝置的運行經驗的基礎上,結合 自己的科研成果和工程實踐,設計出一種可地埋設置的成套有機廢水處理裝置,集去除BOD5、COD、NH3-N於一身,具有技術性能穩定可靠,處理效果好,投資省,自動化運行,維護操作方便,不佔地表面積,不需蓋房,不需採暖保溫等優點。地面之上可種花種草,不影響周圍環境。

D. 水處理在國內做半導體方面的工業廢水嗎

1、因為全球水資本的日益短少,超純水的生產本錢在不時地上升。面對宏大的應用機會,電子半導體製造商在日常運營中,很是依附於超純水繼續流。

2、融化固體和懸浮固體在含量、酸鹼度和金屬雜質方面的差別,使半導體廢水對常規技巧處理形成了應戰。顛末膜生物反響器和三級處理系統,可以對半導體廢水結束處理,使之達到新的嚴格環境法則或許在工場內獲得再次操縱的機會。

3、膜系統是一種模塊化系統;廢水處理可以疾速調節,與產量添加保持分歧。

E. 我們是一家半導體生產型企業,會產生大量的研磨切割和酸鹼廢水,有工業廢水處理公司嗎

蘇州園區有一家荷蘭的環保公司

F. 一套廢水處理設備大概需要多少錢

電鍍廠現在查的越來越嚴,有些重金屬超標很嚴重的話,老闆可是要被抓的。一般我接觸的電鍍廠測的最多的就4個離子,cr,pb,ni,cu,看地區不同。像小的電鍍廠的話,最普通的一套污水處理設備要個幾十萬,當然客戶適當的要求加一些硬性的處理要求,適合自己公司的,可能還會貴點。

G. 請問半導體廠房用的純水和廢水處理是怎麼收費的,按流量計費每立方大約多少錢是否和普通自來水收費不同

是按照多少量來計費的,在多少噸以內是多少錢,然後在按噸收取費用 。

H. 如何處理半導體(LED)廢水

隨著單個LED光通亮和發光效率的提高,即將進入普通室內照明、台燈、筆記本電腦背光源、大尺寸LED顯示器背光源等市場廣闊。 LED生產過程中絕大部分廢水產生在原材料和晶元製造過程中,分為拉晶、切磨拋和晶元製造,主要含一般酸鹼廢水、含氟廢水、有機廢水、氨氮廢水等幾種水質,在黃綠光晶片製造過程中還會有含砷廢水排出。 2、LED晶元加工廢水特點:主要污染物為LED晶元生產過程中排放的大量有機廢水和酸鹼廢水,另有少量含氟廢水。有機廢水主要污染物為醇、乙醇、雙氧水;酸鹼廢水中主要污染物為無機酸、鹼等。 3、LED切磨拋廢水特點:主要污染物為大量清洗廢水,主要成分為硅膠、弱酸、硫酸、鹽酸、研磨砂等。 4、酸鹼廢水排放:主要包括工藝酸鹼廢水、廢氣洗滌塔廢水、純水站酸鹼再生廢水,採用化學中和法處理。 含砷廢水:主要來自背面減薄及劃片/分割工序,採用化學沉澱法處理。 一般廢水:排放方式均為連續排放,主要指純水站RO濃縮廢水主要污染物為無機鹽類,採用生化法去除。 含氟廢水:主要清洗廢水中含有HF,使用混凝沉澱去除。 高氨氮廢水:使用折點加氯法,將廢水中的氨氮氧化成N2。投加過量氯或次氯酸鈉,使廢水中氨完全氧化為N2的方法,稱為折點氯化法,其反應可表示為: NH4+十1.5HOCl→0.5N2十1.5H2O十2.5H+十1.5Cl-5、案例: 5.1、LED生產加工之藍寶石拉晶廢水 污水水質、水量: 水量:480t/d;20t/h(24小時連續)廢水水質:PH值5.0-10.0無量綱出水要求:達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為:處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應,達到工藝要求後進入有機廢水調節池。人工收集到含氟廢水收集池,加葯劑進行沉澱。上清液達標排放,污泥排入污泥濃縮池處理。 利用有機廢水調節池的池容增加生化處理功能,向池內投加厭氧性水解菌,池內配置穿孔水力攪拌系統以加強傳質,為後繼處理單元提供部分水解處理服務。 廢水經過調節後經泵提升進入進入厭氧水解池。 厭氧水解池採用上向流布水形式,利用循環管網系統加強池底部的混流強度,提高反應器內的傳質效果。利用微生物的水解酸化作用將廢水中難降解的大分子有機物轉化為易降解的小分子有機物,將復雜的有機物轉變成簡單的有機物,提高廢水的可生化性,有利於後續的好氧生化處理。出水自流進入接觸氧化池。接觸氧化池的混合液進入二沉池進行泥水沉澱分離。為保證COD排放達標的處理要求,將二沉池出水導入BAF進行處理。生物曝氣濾池的出水流入清水池,為生物曝氣濾池提供濾料的反沖洗水,其餘的清水達標排放。 5.2、LED生產加工之切磨拋廢水 污水水質、水量: 水量:432t/d;18t/h(24小時連續)廢水水質:1PH值5.0-10.0無量綱出水要求:達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為:處理工藝根據業主廢水的水質情況,在吸取以往同類廢水處理裝置設計的成功經驗和一些同類廢水處理裝置的實際運行經驗,設計污水處理主體工藝路線如下: 格柵池+清洗廢水調節池+反應池+物化沉澱池達標排放 污泥處理主體工藝採用工藝路線為: 污泥濃縮+污泥調理+板框壓濾泥餅外運 5.3、LED生產加工之晶元廢水 污水水質、水量: 有機廢水水量:19.4t/h(24小時連續)水質:PH值6.0-8.0無量綱 酸鹼廢水水量:70t/h(24小時連續)水質:PH值4.0-11.0無量綱 含氟廢水水量:4t/h(24小時連續)水質:PH值2.0-4.0無量綱 氟化物≤200mg/L處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應,達到工藝要求後達標排放。含氟廢水收集調節後與投加的葯劑反應生成不溶性氟化物沉澱,上清液達標排放。

I. 半導體晶元製造廢水處理方法

晶元製造生產工藝復雜,包括矽片清洗、化學氣相沉積、刻蝕等工序反復交叉,生產中使用了大量的化學試劑如HF、H2SO4、NH3・H2O等。

所以一般晶元製造廢水處理系統有含氨廢水處理系統+含氟廢水處理系統+CMP研磨廢水處理系統。具體方案可以咨詢澤潤環境科技(廣東)有限公司網頁鏈接

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